Infineon und Micron bringen RLDRAM
Infineon und Micron werden Ende nächsten Jahres den neuen Speichertyp Reduced Latency DRAM [RLDRAM] auf den Markt bringen.
Er ist speziell auf Netzwerk-Applikationen wie Switches und Router ausgelegt, die auf schnellen Speicherzugriff angewiesen sind.
Die beiden Unternehmen haben im Mai eine Kooperation zur Entwicklung der DRAM-Speicher mit reduzierter Latenzzeit geschlossen.
Hochleistungsspeicher für RouterLatenzzeit
RLDRAM basiert auf einer neuen internen Speicherarchitektur und soll die Latenzzeit auf 22,9 Nanosekunden reduzieren. Die Latenzzeit von PC-133-SDRAM liegt bei etwa 44 Nanosekunden. RLDRAM soll damit die Lücke zwischen SRAM und DRAM schließen.
RLDRAM besitzt acht interne Speicherbänke. Bei einem sequenziellen Zugriff auf die Bänke wird laut Infineon eine Bandbreite von 19,2 GB/s erreicht. Der neue Speicherchip arbeitet mit einer Spannung von 1,8 bis 2,5 Volt für das Speicher-Array und mit 1,8 Volt für den I/O-Bereich. Standard-SDRAMs benötigen 3,3 Volt.
Die Massenproduktion der RLDRAM-Chips soll im vierten Quartal 2002 starten, sagte Microns zuständiger Marketing-Manager Gerald Johnson. Infineon wird erste Muster bereits im ersten Quartal 2002 fertigen, Micron etwas später.