Hochleistungsspeicher für Router
Infineon und Micron wollen gemeinsam Speicherbausteine entwickeln, die über eine reduzierte Latenzzeit verfügen.
Die "Reduced Latency DRAM" [RLDRAM] sollen für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen entwickelt werden, die auf schnellen Speicherzugriff angewiesen sind.
Latenzzeit ist die Zeit, die auf Grund der Architektur verschwendet wird, wenn auf Daten zugegriffen wird.
Anfangs ist geplant, dass die Speicherbausteine mit Datenraten von bis zu 600 Megabit pro Sekunde und Pin arbeiten.
InfineonRLDRAM soll Industriestandard werden
Zudem ist eine Latenzzeit angestrebt, die im Vergleich zu anderen Architekturen "deutlich geringer ist", teilte Infineon mit. Konkret soll die Latenzzeit von herkömmlichen PC-133-SDRAM auf die Hälfte verkürzt werden.
Infineon und Micron wollen RLDRAM zum Industriestandard für Hochleistungs-Speicherbausteine machen.
Das Abkommen sieht vor, dass Infineon und Micron gleichermaßen zum System-Know-how und zur Weiterentwicklung der Produktlinie beitragen und kompatible RLDRAMs entwickeln. Diese könnten dann mehrere Hersteller produzieren und anbieten.