0,07-Mikron-Chips bis 2006

Infineon und Canon kooperieren bei der Entwicklung von Mikrochips mit einer Strukturbreite von 0,07 Mikron [70 Nanometer]. Wie die beiden Unternehmen mitteilten, sollen die Chips im Jahr 2006 serienreif sein.

Die Forscher benutzen für die Herstellung ein spezielles Lithografie-Verfahren, um die Strukturbreite von 0,07 Mikron zu realisieren. Als Lichtquelle dient dabei ein Fluor-Laser mit einer Wellenlänge von lediglich 157 Nanometer.

Bisherige Krypton-Fluorid- [248 nm] und Argon-Fluorid-Laser [193 nm] sind laut Infineon nicht für die Produktion von Chips unter 90 Nanometer geeignet.

Die Chiphersteller Taiwan Semiconductor Manufacturing [TSMC] und Fujitsu wollen bereits im dritten Quartal 2001 erste Wafer in 0,10-Mikron-Technik herstellen.

Chiphersteller peilen 0,10 Mikron an

Forschung und Börse

In den letzten Tagen häufen sich die Meldungen über neue Chiptechnologien: Intel hat eigenen Angaben zufolge mit 0,02 Mikron Gate-Länge den kleinsten und schnellsten Transistor aller Zeiten entwickelt. Die neuen Transistoren soll 2007 serienreif sein und Prozessoren mit Taktraten bis zu 20 GHz ermöglichen.

Auch IBM hat eine Technologie namens "Strained Silicon" vorgestellt , welche die Geschwindigkeit von Mikrochips um 35 Prozent erhöhen soll.

Neben den tatsächlichen technologischen Durchbrüchen versuchen die Halbleiter-Hersteller mit ihren verstärkten PR-Aktivitäten offensichtlich aber auch, den Abwärtstrend ihrer Aktienkurse umzukehren.