Infineon kooperiert bei 60-nm-Chips

Der deutsche Chipkonzern Infineon weitet die Zusammenarbeit mit Nanya auf die Entwicklung der übernächsten Fertigungstechnologie für Chips aus.

Die beiden Unternehmen wollten neue Fertigungstechnologien mit noch feineren Chipstrukturen entwickeln, teilte Infineon mit.

Voraussichtlich 2008 sollen erste Speicherprodukte mit dem neuen 60-Nanometer-Fertigungsverfahren auf 300-mm-Siliziumscheiben [Wafern] produziert werden. Die neue Fertigungstechnik wird im Infineon-Werk in Dresden entwickelt und später von beiden Unternehmen und auch von der Gemeinschaftsfirma Inotera Memories in Taiwan eingesetzt.

Durch eine engere Fertigungsstruktur können mehr Chips pro Siliziumscheibe gefertigt werden. Im Juni hat Infineon mit der Fertigung in der 90-nm-Technik begonnen, wodurch aus einem Wafer 30 Prozent mehr Chips gewonnen werden können.

Chip-Upgrade gefährdet Infineon-Jobs

Aufholjagd auf Samsung

Mit der Einführung der 70-Nanometer-Technologie bei Speicherchips will Infineon 2006 mit Branchenführer Samsung gleichziehen. Die Entwicklung des nächsten Technologieschritts solle sicherstellen, dass Infineon dabei auf keinen Fall wieder in Rückstand gerate, hieß es.

"Der Ausbau der erfolgreichen strategischen Partnerschaft mit Nanya zur Entwicklung der 60-nm-Technologie ermöglicht eine erhebliche Produktivitätssteigerung bei der Fertigung von DRAMs", sagte der Chef der Infineon-Speichersparte, Kin Wah Loh.