0,14-Mikron-DRAMs gehen in Serie

Infineon hat die 0,14-Mikrometer-Technologie in die Serienfertigung seiner DRAMs eingeführt.

Wie die Siemens-Tochter heute bekannt gab, ist die Volumenproduktion von 256-Megabit-Speicherkomponenten in dieser Technologie bereits angelaufen.

Außerdem habe Infineon erste Muster der neuen, hochintegrierten 512-Megabit-SDRAMs, die ebenfalls in der 0,14-Mikron-Technologie gefertigt werden, bereits an erste strategische Partner geliefert.

Von der neuen 0,14-Mikron-Fertigungstechnologie, die den Angaben zufolge 18 Prozent kleinere Strukturen aufweist als der bisherige Fertigungsprozess mit 0,17 Mikron, erhofft sich Infineon einen Kostenvorteil von etwa 30 Prozent.

Infineon

Produktionskosten

Der neue Prozess wird bereits seit September in Infineons Werk in Dresden bei der 200-mm-Wafer-Fertigung genutzt.

Die zwei weiteren Produktionsstätten in Richmond, Virginia, und das Joint Venture ProMOS in Taiwan befinden sich den Angaben zufolge in der letzten Phase der Vorbereitungen, um die neue Technologie ebenfalls einzusetzen.

Durch die derzeit laufende Übertragung der 0,14-Mikron-Technologie auf die 300-mm-Produktionslinien will Infineon seine Produktionskosten um weitere rund 30 Prozent reduzieren können.

Die 300-mm-Fertigung in Dresden hat mit der Vorserienproduktion bereits begonnen. Zu Beginn des kommenden Jahres wird dann die Serienproduktion in 0,14-Mikron-Technik aufgenommen. Das ProMOS-Joint-Venture wird ein bis zwei Quartale später folgen.