Rauschfrei-Chip fürs Handy
Infineon Technologies hat einen Verstärker-Chip für Dual-Band-Handys entwickelt, der bei geringem Energieverbrauch für eine rauschfreie Verbindung sorgen soll.
Der Dual-Band-LNA [Low Noise Amplifier] PMB2364 wurde auf Basis des Silizium-Germanium-Bipolar-Prozesses B7HF von Infineon gefertigt, der speziell für mobile Kommunikationsanforderungen entwickelt wurde.
Geringe Rauschwerte von 1,3 dB
Nach Angaben von Infineon bietet der LNA geringe Rauschwerte von
1,3 dB bei 0,95 GHz bzw. 1,5 dB bei 1,85 GHz mit einer Verstärkung
von 19 dB. Der Chip nutzt dabei die Vorteile der
B7HF-Prozesstechnologie mit Transitfrequenzen von bis zu 75 GHz.
Infineon-PresseaussendungWeniger externe Komponenten
Darüber hinaus bietet der PMB2364 angepasste [matched] Ein- und Ausgänge und arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 2,7 bis 3,6 V bei sehr geringer Stromaufnahme.
Durch das integrierte Matching sind im Vergleich zu anderen Lösungen weniger externe Komponenten erforderlich.
Ab sofort verfügbar
Der in Volumen-Stückzahl ab sofort verfügbare Dual-Band-LNA kann mit dem GSM-Transceiver SMARTi von Infineon für eine komplette Front-End-Lösung für Mobilfunklösungen kombiniert werden.