Multi-Chip-Speicher für UMTS-Handys
Die ersten Exemplare eines integrierten Multi-Chip-Speichers für Handys der dritten Generation [GPRS, UMTS] wurden von Samsung ausgeliefert.
Die "Multi Chip Packages" [MCPs] mit sehr niedrigem Stromverbrauch kombinieren einen 64-Megabit-Flash-Speicher mit einem Acht-Mbit-SRAM-Element [Static Random Access Memory], wobei Letzterer dabei als Puffer/Arbeitsspeicher dient.
Samsung bezeichnet das als ideale Lösung, die auf den erhöhten Speicherbedarf bei UMTS-Handys zugeschnitten ist.
Die Massenproduktion des "Low-Power 8Mb SRAM/ 64Mb NAND Flash Stacked MCP Memory Device" soll laut Hersteller im zweiten Quartal 2001 erfolgen.

Die konkurrierende FeRAM-Technologie von Infineon und Toshiba soll erst Ende 2002 in
