Ferroelektrische RAMs von Infineon und Toshiba
Infineon und Toshiba haben heute eine Vereinbarung über die gemeinsame Entwicklung einer nicht flüchtigen Speichertechnologie auf Basis des ferroelektrischen Prinzips bekannt gegeben.
FeRAM [Ferroelectric Random Access Memory] vereint die Schnelligkeit und Zuverlässigkeit der bekannten dynamischen und statischen Speicher [DRAM und SRAM] mit dem Datenerhalt nach Abschalten der Versorgungsspannung.
Das erste kommerziell verfügbare Produkt wird ein 32-Mbit-FeRAM für den Einsatz in Mobiltelefonen sein. Erste Muster sind für März 2001 geplant. Die kommerzielle Verfügbarkeit des 32-Mbit-FeRAM ist für Ende 2002 vorgesehen. Aus der Zusammenarbeit sollen dann 64-Mbit- und gegebenenfalls auch 128-Mbit-Versionen folgen. [Um einem häufigen Missverständnis vorzubeugen: Die Kapazität von RAM-Bausteinen wird üblicherweise in "Mbit" angegeben.]
FeRAM-Produkte von InfineonErsatz von Multichip-Modulen in Mobiltelefonen
Dieser Speicher ist dafür ausgelegt, derzeitige Multichip-Module [MCP] in Mobiltelefonen, bestehend aus einem SRAM-Chip und einem NOR-Flash-Speicher in einer Stack-Konfiguration, zu ersetzen.
Gegenüber Flash-Speichern mit NOR-Technologie bieten die FeRAM-Produkte zahlreiche Vorteile wie SRAM-ähnlich schnelle Lese- und Schreibzeiten, geringe Leistungsaufnahme und eine hohe Zahl von möglichen Schreib- und Lesezugriffen.
Was wer einbringt
Toshiba bringt in die Zusammenarbeit seine
LZT-Prozess-Technologie [Lead Zirconate Titanate] und seine
patentierte "Chained"-Speicherzellenstruktur ein. Diese Technologie
wurde schon für die Entwicklung eines 8-Mbit-FeRAM genutzt.
Infineons Aufgabe wird es sein, die Anzahl der Schreib- und
Lesezyklen zu erhöhen und die Metallkontaminierung des Siliziums zu
verhindern.
Encyclopaedia Britannica über FeRAMS