Magnetic RAM von IBM und Infineon
IBM und Infineon haben ein Abkommen über die gemeinsame Entwicklung von MRAM [Magnetic Random Access Memory] angekündigt.
MRAM-Datenträger speichern Informationen auch ohne angelegte Spannung, also wenn ein Gerät ausgeschaltet ist.
Gleichzeitig lassen sie sich in ähnlichen Geschwindigkeiten lesen und beschreiben wie DRAM. Daten können zudem enger auf einer Fläche gepackt werden - zumindest theoretisch.
Diese "revolutionäre Technologie" werde dazu beitragen, die Batterie-Lebensdauer in portablen Systemen deutlich zu verbessern, teilte Infineon heute mit.
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Das MRAM-Konzept ist zwar schon recht alt und hinlänglich bekannt, hat es aber bisher nicht aus den Forschungslabors in die Produktion geschafft.
MRAM habe das Potenzial, alle bisherigen RAM-Technologien in künftigen Computergenerationen zu ersetzen, so ein IBM-Sprecher.
Infineon und IBM erwarten, dass Produkte auf Basis der MRAM-Technologie ab 2004 kommerziell verfügbar sein werden.