Starker Kombi-Chip für 3G-Handys

Bei Samsung ist die bisher stärkste "Multi-Chip Package" für 3G-Handys in Massenproduktion gegangen. Der neue Kombi-Chip 2.5Gb MCP verfügt, wie schon der Name sagt, über 2,5 Gigabit [sic!] Speicherplatz, was etwa 320 Megabyte entspricht.

Der Chip übertrifft damit ganz deutlich die momentanen Speicherkapazitäten von 1,5 GBit.

Der neue Speicher, der für datenintensive 3G-Anwendungen wie Videos etc. gedacht ist, besteht aus zwei 1-GBit-NAND-Flash-Bausteinen und zwei mal 256-MBit-Mobile-DRAMs [ Auch hier gilt wieder, dass die Angaben der Industrie bei RAMs und Flashbausteinen in Gigabit und nicht in Gigabyte gehalten sind].

Samsung hat erst Mitte Februar den ersten Prototyp eines 512-MB-DDR3-DRAM für PC vorgestellt. Der RAM schafft eine Daten-Durchsatzrate von gut einem Gigabit/s [1.066 MBit], doppelt so viel wie DDR2-Chips. Später soll die Performance noch auf 1,333 GBit/s gesteigert werden.

Ein erster DDR3-Prototyp von Samsung

Niedrige Betriebsspannung

Als Betriebsspannung benötigt Samsungs neuer Chip nur 1,8 Volt - bis zu vier Stunden Videodaten im QVGA-Format können laut Angaben des Herstellers gespeichert werden.

Durch die besonders kompakte Bauweise ist wiederum mehr Platz, um neue Handys bei steigender Leistungsfähigkeit physisch weiter zu schrumpfen. Der Absatz von 3G-Handys wird nach Ansicht der Marktforscher von iSuppli bis 2008 pro Jahr im Schnitt von 78 Prozent wachsen. In drei Jahren werden weltweit bereits 240 Millionen Stück in Gebrauch sein.

Samsung führt den Weltmarkt bei hochverdichteten "Multi-Chip Packages" an, und ist weltweit das einzige Unternehmen, das alle Elemente für Kombichips, nämlich NAND wie NOR Flash-Speicher, Mobile DRAM und UtRAM selbst produziert. Dieses Segment wächst am stärksten in der gesamte Chipsparte.