Infineon verkleinert Flash-Speicherzelle
Forscher der Infineon Technologies AG haben die nach eigenen Angaben derzeit kleinste nichtflüchtige Flash-Speicherzelle als Labormuster vorgestellt. Mit 20 nm [Nanometern] ist sie rund 5.000 Mal dünner als ein Haar.
Das Besondere an dem neuartigen Bauelement sei seine dreidimensionale Struktur mit einer Finne. Sollten alle fertigungstechnischen Herausforderungen für die Massenproduktion gemeistert werden, wären damit in wenigen Jahren nichtflüchtige Speicherchips mit einer Kapazität von 32 GBit denkbar, so Infineon.
Die modernsten Speicher, die derzeit erhältlich sind, brauchen rund 1.000 Elektronen, um sich ein Bit sicher für mehrere Jahre merken zu können. Der jetzt von Infineon vorgestellte Speicher braucht dazu laut Hersteller 100 Elektronen, ein zweites Bit legt er mit weiteren 100 Elektronen im gleichen Transistor ab.
100 Elektronen entsprechen etwa der Zahl von Elektronen in einem einzigen Goldatom. Trotz dieser kleinsten Ladungsmengen wies das Muster sehr gute elektrische Eigenschaften auf, so Infineon.
Nachfolger für Flash-Speicher gesuchtFinFET-Konzept
Infineon hat für die kleinste Speicherzelle auf das FinFET-Konzept zurückgegriffen, bei dem der FET [Feldeffekt]-Transistor die dreidimensionale Form einer Finne hat.
Diese Form verbessere die elektrostatische Kontrolle wesentlich gegenüber den heute üblichen flachen Transistoren, so Infineon.
Die Elektronen werden in einem Nitrid gespeichert, das elektrisch isoliert zwischen der Finne und der Gate-Elektrode liegt. Die acht nm dünne Silizium-Finne wird von der 20 nm langen Gate Elektrode gesteuert.