Schmale Leiterbahnen für große Chips
Samsung Electronics hat den ersten 8-Gigabit-Flashspeicher mit Hilfe der 60-Nanometer-Technologie produziert.
Damit ist der Chipindustrie eine weitere Miniaturisierung gelungen - mit einer Breite von nur mehr 60 Nanometern sind die Leiterbahnen in den Chips nochmal ein Stück schmaler geworden.
Die 8-Gigabit-Speicher werden zu Sets à acht oder 16 Einheiten angeordnet und bieten so acht bzw. 16 Gigabyte Speicherplatz.
8-Gigabit-Chips ab Ende 2005
"Wir sind die ersten, die die 60-Nanometer-Technologie
kommerziell nutzbar machen", so Samsung stolz. Die
8-Gigabit-Variante soll Ende 2005, der 4-Gigabit-Chip im ersten
Quartal des kommenden Jahres verkauft werden.
SanDisk und Toshiba bauen ChipfabrikGleichzeitig hat Samsung den ersten 2-Gigabit-DDR2-Chip vorgestellt, der in der Produktion zu einem 2- oder 4-Gigabyte-Speicherbaustein zusammengefasst wird. Der DDR2-SDRAM-Speicher wurde mit bestehender 80-Nanometer-Technologie gefertigt - ein Unterfangen, das bis dato als nahezu unmöglich galt.