Neues Material für höhere Speicherdichte

Co2Cr0.6Fe04A1 ist die Formel für ein Material, das in Zukunft als für kleinere Datenspeicher mit einer höheren Speicherdichte Verwdnung finden könnte.

Forscher der Johannes Gutenberg-Universität Mainz haben die neue Verbindung bei der Suche nach magnetischen Materialien entdeckt, die die bisherige Elektronik auf Basis von Siliziumchips ersetzen könnten.

Das neue Material soll über eine möglichst hohe Spinpolarisation verfügen. Das bedeutet, dass sich möglichst viele Elektronen in der gleichen Richtung ausrichten.

Gleichzeitig muss das Material eine hohe Spinpolarisation an der "Fermi-Kante" aufweisen. Das ist eine Art Trennlinie zwischen mit Elektronen besetzten und unbesetzten Zuständen.

Die Spin-Elektronik [Spintronik] verfolgt seit kurzem ein neues Konzept zur Verarbeitung von Daten, bei dem nicht nur die elektronische Ladung, sondern auch die Eigenrotation von Elektronen genutzt wird. Dieser so genannte "Spin" stellt eine Drehung des Elektrons um ihre eigene Achse dar. Je nachdem ob die Drehung im Uhrzeigersinn oder gegen ihn erfolgt, ist von "Spin Up" oder "Spin Down" die Rede.

Infineon zeigt 16-MBit-MRAM-Prototyp

Leseköpfe und Speicherchips

Das beste Material für die Spinotronik würde eine 100prozentige Spinpolarisation an der Fermi-Kante zeigen, so Claudia Felser von der Johannes Gutenberg-Universität Mainz. Das sei bisher aber noch bei keinem Material erreicht worden.

Laut der Mainzer Forschergruppe könnte aber die neu entdeckte Verbindung, aufgrund ihres Magnetwiderstandseffektes, das Material für die Bauteile der Zukunft sein.

Sie könnte beispielsweise bei Leseköpfen in magnetischen Festplatten, für Positions- und Winkelsensoren und für magnetisch frei adressierbare Speicher eingesetzt werden. Bei Speichermedien könnte damit auf viel weniger Platz viel mehr gespeichert werden. Im Gegensatz zu herkömmlichen Siliziumchips würden Daten auch "fester" gespeichert und daher bei einem Stromausfall nicht verloren gehen.