Samsung verbessert DRAM-Technologie
Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung Electronics hat seine 0,10-Micron-DRAM-Technologie entscheidend verbessert, berichtet DigiTimes.
Demnach konnten Probleme mit den eingesetzten Aluminium-Oxid-Verbindungen [Al2O3] behoben werden. Dadurch könne Samsung in seiner DRAM-Fabrik in Taiwan den Output um eine Mio. 256 Mbit-Äquivalente pro Monat anheben.
Nähere Angaben zur Art des technologischen Durchbruchs wurden vorerst nicht gemacht. Nach Angaben eines Managers konnte aber die so genannte Yield Rate, der Anteil brauchbarer Chips an der Gesamtproduktion, auf rund 80 Prozent gesteigert werden.
Bei Samsungs DRAM-Produktion war es nach einem Wechsel von Oxide-Nitrid-Oxide auf Al2O3 zu Problemen gekommen.
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