VRAM als besseres Gedächtnis

Ein laut ONR revolutionärer Typ des RAM-Speichers wird in naher Zukunft das Licht des Marktes erblicken: "VRAM [Vertical Giant Magnetoresistance RAM] hat das Potenzial, alle mechanisch angetriebenen Speichermedien zu ersetzen", begeistert sich Larry Cooper, Leiter des VRAM-Projektes.

Er verspricht eine 100- bis 1.000fache Steigerung derzeitiger Speicherkapazitäten. Im Gegensatz zum derzeit üblichen dynamischen RAM-Speicher muss das VRAM nicht kontinuierlich seine Memoryzellen erneuern, um die Information nicht zu verlieren.

Es ist, laut ONR, das erste statische RAM, das Information auch nach dem Abschalten behält und dessen Herstellungskosten vergleichweise niedrig sind.

Vertical Giant Magnetoresistance RAM
"VRAM reduziert den Bedarf an Transistoren dramatisch, führt zu gesenkten Kosten und behält einmal gespeicherte Information ohne ständige 'Erneuerung' der Memoryzellen", erklärt Cooper. Die Information verbleibt auch nach dem Abschalten im VRAM-Speicher. Die Forscher schätzen, dass sich mit der VRAM-Technologie die Geschwindigkeit des Memory Access um den Faktor zehn steigern lässt.

Presseaussendung des Office of Naval Research

Projektierung in zwei Phasen

In Zusammenarbeit mit Nonvolatile Electronics Inc. soll in zwei Phasen die technische Umsetzung des Projektes erfolgen. In Phase eins soll ein erstes Schaltkreisdesign fertig gestellt und ein Fabrikationsprozess für die VRAM-Memory-Arrays umrissen werden.

In Phase zwei wird das Design der Schaltkreise finalisiert, die Technologie getestet und ein VRAM-Prototyp vorgestellt.

"Letztlich, so glauben wir, wird die Produktion von VRAM-Zellen auf Basis der derzeitigen Siliziumtechnologie mit wenigen Modifikationen möglich sein", so Cooper.

Office of Naval Research