IBM integriert Chip-Techniken

IBM hat einen Chip für Wireless-Geräte entwickelt, der nur ein Fünftel des Stroms herkömmlicher Technologien benötigt oder aber bei gleich bleibendem Verbrauch die Leistung um das Vierfache steigern soll.

Das Unternehmen hat angekündigt, die Innovation am Dienstag auf dem "2003 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting" im französischen Toulouse vorzustellen.

Gerätehersteller der Wireless-Branche benötigen laut IBM künftig Mischsignal-Chips, die sowohl Rechenanwendungen als auch Hochfrequenz-Kommunikationsanwendungen unterstützen.

Der neue IBM-Chip nutzt daher einen besonders dünnen Silizium-Wafer, der sowohl die Leistung von Rechen- als auch von Kommunikationskomponenten maximal steigern kann. Das Chip-Design könnte in den nächsten fünf Jahren eingeführt werden und beispielsweise Video-Streaming auf Handys möglich machen.

IBM will Silizium beschleunigen

Kombiniert

Heutige Rechenanwendungen basieren auf CMOS-Chips [Complementary Metal Oxide Semiconductor]. Radiofrequenz-Kommunikation und analoge Funktionen werden durch bipolare SiGe-Chips [Silizium-Germanium] ermöglicht.

Obwohl CMOS-Chips eine höhere Leistung bringen, wenn sie auf einem dünnen SOI-Wafer [Silicon on Insulator] produziert werden, konnte bisher niemand eine Technik bereitstellen, um SiGe-Bipolar-Transistoren gleichfalls auf dem Wafer herzustellen.

IBM ist es damit erstmals gelungen, Rechen- und Kommunikationstransistoren auf einem Wafer zu vereinen und damit deren Leistung zu steigern. Die neuen SiGe-BiCMOS-Chips sollen die Zuverlässigkeit von Wireless-Geräten verbessern.