Geschwindigkeitsrekord für Siliziumchips
Infineon hat einen neuen Geschwindigkeitsrekord für Siliziumchips aufgestellt. Wie das Unternehmen am Donnerstag bekannt gab, erreichten die Bausteine in der von Infineon entwickelten Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie eine Betriebsfrequenz von 110 Gigahertz.
Bisher sind ähnlich hohe Frequenzen nur für Chips aus Galliumarsenid erreichbar gewesen. Silizium hat dagegen den Vorteil, deutlich preisgünstiger zu sein.
Infineon-StatementSchnelle Schalter
Die Forscher des Münchner Chipherstellers verwendeten für ihre Rekord-Bauelemente Silizium, das mit Germanium-Atomen angereichert wurde.
Die Infineon-eigene Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie, mit der die Chips realisiert wurden, hat bereits Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden erreicht.
Den Einsatz für die neuen Schaltkreise sieht Infineon vor allem in der Kommunikationstechnik. Sie könnten etwa für Sender und Empfänger von Richtfunkstrecken und für die WLAN-Kommunikation zwischen elektronischen Geräten und Computern genutzt werden. Anwendungsmöglichkeiten sieht der Konzern auch im Kfz-Bereich, etwa für Abstandswarnung und Kollisionsvermeidung durch Radar.