Funktionstüchtiger Nano-Speicherchip
Das US-Forschungsunternehmen Nantero hat nach eigenen Angaben einen "Nano-Speicherchip" [NRAM] mit einer Kapazität von zehn Gigabit entwickelt.
Der Speicher auf der Basis von Nanoröhren aus Kohlenstoff soll eine höhere Zugriffsgeschwindigkeit erlauben als "alle anderen verfügbaren Random-Access-Memory-Chips".
Der Speicher behält seine Informationen zudem auch ohne Stromzufuhr. Nach Angaben von Nantero wurde der NRAM mit konventionellen Fertigungsmethoden hergestellt.
Nantero-Statement als pdfFertigung
Nantero schlug bei der Erzeugung seines Chips einen neuen Weg ein: Anstatt die Kohlenstoff-Nanoröhrchen in einem Raster auf dem Silizium-Träger anzuordnen, wurden diese in einer einzigen dünnen Schicht auf dem Trägermaterial aufgebracht.
Danach wurden die Nanoröhren, die nicht in den Raster passten, mit Hilfe eines lithografischen Prozesses weggeätzt. "Damit umgehen wir das Problem, dass Nanoröhren nicht in einer regelmäßigen Anordnung gezüchtet werden können", erklärte Thomas Rueckens, Mitbegründer und wissenschaftlicher Leiter von Nantero. Nach Ansicht Rueckens ist der Produktionsprozess nicht auf Chips mit zehn GBit begrenzt.
Die Nanoröhren sind in Gruppen im Trägermaterial zwischen Elektrodenpaaren positioniert. Je nachdem ob ein elektrisches Feld angelegt wird, ändern die Nanoröhren ihre Position und stellen so Nullen und Einsen dar.
Nach einem Bericht des Wissenschaftsmagazin "New Scientist" ist Nantero allerdings noch bei der Entwicklung einer Methode, mit der sich die einzelnen Gruppen ansprechen lassen.