AMD bringt neue Transistor-Technologie
AMD präsentiert auf dem diesjährigen "International Electron Devices Meeting" [IEDM] in San Francisco einen Transistortyp, der die bisher gebräuchlichen "planaren" Transistoren ersetzen könnte.
Zusammen mit der Universität Berkley hat der Halbleiterhersteller einen "Fin Field Effect Transistor" [FinFET] entwickelt, der den Stromfluss mit Hilfe einer dünnen vertikalen "Flosse" kontrolliert.
Die Silizium-"Flosse" eines FinFET erzeugt zwei Gates auf dem Transistor statt eines einzigen und soll vor allem die Schalteigenschaften verbessern. AMD erhofft sich von dem Design eine weitere Leistungssteigerung bei immer kleineren Baugrößen, wobei die bestehenden Produktionsprozesse weiter genutzt werden können.
Das Unternehmen hat bereits im September einen arbeitsfähigen FinFET mit einer Gate-Länge von zehn Nanometern vorgestellt.
AMD-StatementMaterialforschung
Daneben präsentiert AMD noch zwei Forschungsarbeiten für den Einsatz von Metallverbindungen an Stelle von Polysilizium bei der Erzeugung von Transistoren.
Der Chipproduzent erwartet sich von der Verwendung von Nickel bei der Erzeugung der Transistor-Gates einen geringeren elektrischen Widerstand im Transistor und geringere Herstellungskosten. Die Technologie soll ab 2005 in den Produktionsprozess einfließen.