Infineon und Nanya gründen DRAM-Allianz
Infineon und der taiwanesische Chiphersteller Nanya Technology Corporation [NTC] gehen eine strategische Zusammenarbeit bei der Entwicklung von DRAM-Speicher ein.
Wie die beiden Unternehmen heute mitteilten wurden die endgültigen Verträge unterzeichnet. Infineon und NTC wollen sich demnach die Kosten bei der Entwicklung der "zukunftsweisenden 0,09 Mikron- und 0,07-Mikron-Fertigungstechnologien für 300 Millimeter Wafer" teilen.
Die beiden Unternehmen haben die Zusammenarbeit schon Frühjahr angebahnt:
Infineon kooperiert mit Nanya50:50-Joint Venture
Im Rahmen der Vereinbarung werden die beiden Unternehmen ein 50:50-Joint Venture für die Produktion von DRAM-Chips gründen. Bereits Ende 2003 sollen die ersten Chips mit der neuen Technologie vom Band laufen.
Daneben wollen Infineon und NTC ein 300-Millimeter-Wafer-Werk in Taiwan errichten. Der Ausbau des Werks wird in zwei Stufen erfolgen. Die erste Stufe mit einer Kapazität von 20.000 Waferstarts soll 2004 vollendet sein. Der Endausbau wird voraussichtlich 2006 erreicht. Die maximale Produktion wird im Endausbau 50.000 Waferstarts im Monat betragen.
Die Investitionssumme für das Joint Venture beträgt nach Angaben von Infineon 2,2 Mrd. Euro. Der deutsche Halbleiterproduzent hofft mit dem Gemeinschaftsunternehmen seinen Marktanteil bei Speicherchips auf 20 Prozent ausbauen zu können.