IBM und Infineon bauen kleinere Speicherchips

IBM und der Speicherspezialist Infineon haben im Rahmen ihrer Allianz eine neue Technologie entwickelt, die den Flächenbedarf von DRAM-Speicher um ein Viertel reduziert. Die so genannte vertikale Transistorzelle [VTC] macht es möglich; bereits 2001 wollen die beiden Unternehmen einen 1-Gigabit-Speicher in 0,11-Micron-Struktur auf den Markt bringen.

Vielversprechende Erfahrungen

Die ersten Erfahrungen mit dem gegenüber dem konventionellen Design um 90 Grad gedrehten Transistor sind laut Wilhelm Beinvogl, Vizepräsident Technology & Innovation bei Infineon, sehr viel versprechend. "Wir haben diese Struktur bislang an 1-Megabit-Testarrays untersucht, und fast alle Speicherzellen haben von Anfang an funktioniert." Im Rahmen der Verkleinerung wird auch der Lesevorgang optimiert.

Ungeachtet der wachsenden Komplexität ist allerdings kein neues Fertigungsequipment zur Herstellung der neuen Speicherzellen notwendig.

"Der einzige Unterschied besteht darin, dass wir der traditionellen DRAM-Architektur von drei Metalllagen eine weitere hinzufügen."

System on a Chip

Die neuen Speicherzellen werden vor allem in System-on-Chip-Lösungen zum Einsatz kommen, wo versucht wird, das Herz eines Geräts auf einen einzigen Chip zu packen.

Für die Zukunft kann sich Beinvogl Größen zwischen 256 Kilobit und zwei Gigabit vorstellen.

SRAM und DRAM

Bei SRAM [static random acces memory] werden die Daten in einer Logikzelle gespeichert. Die Zugriffszeiten sind kurz, der Platzbedarf und damit der Preis hoch. Auf die Daten kann beliebig zugegriffen werden. Wegen der kürzeren Zugriffszeit werden SRAMs in Caches eingesetzt. Im Fall von DRAM

[dynamic ram] werden die Daten in einem Kondensator gespeichert. Da die Kondensatorladung mit der Zeit abnimmt, müssen die Daten immer wieder geschrieben [=refreshed] werden. Das kostet Zeit, daher sind DRAMs langsamer.

[Definition: Martin, Futurezone Forum]