Intel bringt leistungsfähigere Chips
Intel will die nächste Generation seiner Prozessoren mit "strained" Silizium produzieren.
Dieses "Strecken" führt dazu, dass die Atome weiter auseinanderliegen als normal und damit die Elektronen beschleunigt werden.
Pentium-4-Nachfolger für 2003 geplant
Die Technologie soll bereits bei dem Nachfolger des Pentium 4,
Codenamen Prescott, mit einer Strukturgröße von 90 Nanometer
eingesetzt werden. Prescott wird voraussichtlich bereits in der
zweiten Jahreshälfte 2003 auf den Markt kommen.
"Prescott" kommt im Herbst 2003Stromdurchfluss um 20 Prozent erhöht
Mark Bohr, Direktor für Prozessarchitektur bei Intel, geht davon aus, dass durch die "Streckung" des Siliziums der Durchfluss von Strom um zehn bis 20 Prozent verbessert wird. Dadurch wiederum erhöht sich die Schaltgeschwindigkeit der Transistoren. Die Kosten sollen dagegen nur um zwei Prozent steigen.
Nach den Plänen von Intel wird der Chip zusätzlich mit einer neuen Isoliertechnologie gefertigt.
Anstelle des bisher üblichen Silizium-Materials zwischen den einzelnen Schichten der Transistoren wird eines aus kohlenstoffdotierten Oxids
zum Einsatz kommen. Prescott soll über sieben anstelle der bisher üblichen sechs Verdrahtungsebenen aus Kupfer verfügen.
300 Millimeter Wafer
Der Prozessor der kommenden Generation soll ausschließlich auf
300 Millimeter Wafer erzeugt werden. Die Massenfertigung wird
voraussichtlich in New Mexico und Irland stattfinden. Bei der
Herstellung sollen bis zu 75 Prozent der Produktionstechniken aus
dem zurzeit laufenden 130-Nanometer-Prozess verwendet werden können.
Intel