Infineon kooperiert mit Nanya
Infineon Technologies und Nanya Technology [Taiwan] haben ein "Memorandum of Understanding" über eine Zusammenarbeit bei DRAM-Chips unterzeichnet.
Die beiden Hersteller wollen ein Joint Venture gründen und eine Fabrik bauen.
Im Rahmen des Abkommens entwickeln die Halbleiterhersteller ab Oktober 2002 gemeinsam 0,09- und 0,07-Mikron-Fertigungstechnologien für 300-Millimeter-Wafer. Als Entwicklungsstandort ist das Infineon-Werk in Dresden vorgesehen. Die Kosten dafür werden geteilt.
Erste 300-mm-Wafer Ende 2003
Die Unternehmen haben zudem vereinbart, ein Joint Venture für die
Fertigung von DRAM-Chips zu gründen und ein neues gemeinsames
300-Millimeter-Werk in Taiwan zu bauen. In der ersten Ausbaustufe
soll die Fertigung im zweiten Halbjahr 2004 eine Kapazität von
monatlich rund 20.000 Wafern erzielen, wobei die Produktion der
ersten 300-Millimeter-Wafer bereits Ende 2003 vorgesehen ist.
InfineonSitz des Joint Ventures wird Taoyuen in Taiwan sein. Nanya hat dort bereits ein Werk. Die Transaktion bedarf laut Infineon noch der Zustimmung durch die Kartellbehörden.