Erste Muster von 256-MBit-RLDRAM
Infineon liefert erste Muster seiner 256-MBit-RLDRAM-Chips [Reduced Latency DRAM] aus. Die DDR-SDRAM-Speicherbausteine sind laut Infineon für schnelle Netzwerk- und Cache-Applikationen ausgelegt.
Herstellerangaben zufolge arbeitet das RLDRAM mit einer Taktfrequenz von bis zu 300 MHz und hat ein DDR-Interface.
Der jetzt verfügbare 256-MBit-Baustein in 8Mx32- oder 16Mx16-Organisation biete eine Datenrate von 2,4 GB/s und den Zugriff auf acht interne Speicherbänke.
Laut Infineon basiert das RLDRAM auf einer neuen Speicherarchitektur, die auch bei nicht sequenziellem Zugriff Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden erlaube. Zum Vergleich: Standard-DRAMs haben Zykluszeiten von etwa 50 Nanosekunden.
RLDRAMKooperation mit Micron
Für die Entwicklung hat sich Infineon mit Micron zusammengeschlossen: "Micron wird RLDRAM als wichtige Komponente für die weltweite Netzwerk-Infrastruktur unterstützen, damit die Industrie die erforderlichen Datenraten angesichts der steigenden Nachfrage bei der Bandbreite und den Diensten bereitstellen kann", sagte Jerry Johnson, Marketing-Director bei Micron Technology.
Das neue RLDRAM ist in einem T-FBGA-Gehäuse [Thin-Fine Pitch Ball Grid Array] verfügbar, das neben geringen Abmessungen die nötigen elektrischen und thermischen Eigenschaften bietet.
Vorerst bestehe das RLDRAM-Produktangebot von Infineon und Micron aus 256-MBit-Komponenten und werde mit 300, 250 und 200 MHz Taktrate angeboten. Die von Infineon verfügbaren Muster mit 200 MHz kosten 54 USD.