TSMC zeigt erste 0,10-Mikron-Chips
Der taiwanische Halbleiter-Hersteller TSMC hat auf der derzeit in Santa Clara stattfindenden Konferenz DesignCon die ersten Halbleiter mit 0,10 Mikron Strukturbreite vorgestellt.
Die neue Strukturbreite stellt einen Zwischenschritt zur zukünftigen Standardproduktion mit 0,09 Mikron dar.
So will beispielsweise Intel die 0,10 Mikron überspringen und Mitte 2003 direkt zu 0,09 Mikron wechseln. TSMC dagegen muss jede Möglichkeit zur Verkleinerung ausnutzen, um als Foundry seine Kunden zufrieden zu stellen. Um möglichst hohe Stückzahlen zu erreichen und die Ausbeute zu erhöhen, will TSMC 0,10-Mikron-Chips auf Wafern mit 300 Millimeter Durchmesser produzieren.
DesignConEhrgeizig
Neben diesen beiden Innovationen hat TSMC weiter ehrgeizige Pläne. Die schon eingeführten Kupfer-Interconnects sollen in ein Low-k-Dielektrika gebettet werden.
Durch die niedrige relative Dielektrizitätskonstante sinkt die Kapazität der Interconnects, die mögliche Schaltgeschwindigkeit steigt.
Ein entscheidendes Kriterium moderner Halbleiter konnte TSMC den Ankündigungen zufolge allerdings nicht maßgeblich weiterentwickeln. Die effektive Gate-Länge der Transistoren soll beim neuen Prozess 65 Nanometer betragen. Zum Vergleich: Schon Intels Pentium 4 mit 0,13 Mikron Strukturbreite verfügt über Gates mit 70 Nanometer Länge.