1-GB-DDR-SDRAM-Module von Infineon
Infineon hat erste Muster von DDR-SDRAM-Modulen mit einem GB Kapazität hergestellt. Damit zählt Infineon sich zu den ersten Anbietern der höchsten, heute verfügbaren Kapazität im Speicherbereich.
Die DDR-SDRAM-Module sind laut Infineon im Schema 128 MBit x 2 organisiert und werden mit 36 DRAM-Bausteinen von jeweils 256 MBit in Stacking-Technologie aufgebaut.
"Mit unserer fortschrittlichen 0,17-Mikron-DRAM-Technologie sind wir als einer der ersten Halbleiterhersteller in der Lage, ein 1-GB-Modul für DDR-Anwendungen herzustellen", sagte Peter Schaefer, Vice President Memory Products von Infineon.
InfineonMuster der 1-GB-DDR-DIMMs sollen im zweiten Quartal 2001 auf breiter Basis verfügbar sein.
Die ersten Muster eines GB-Moduls mit DDR-Speicher konnte NEC bereits auf dem VIA Technology Forum zeigen - allerdings nicht in laufenden Systemen.
Außerdem teilte Infineon mit, dass 256-MB-DDR-SDRAM-Module für den Einsatz mit dem AMD-760-Chipsatz freigegeben und auf der Validierungs-Webseite von AMD gelistet sind.