3-D-Chip soll Strom sparen helfen

Handys & Co
01.12.2006

Durch dreidimensionale Chipstrukturen sollen Geräte bei doppelter Batterielaufzeit künftig mit deutlich weniger Strom auskommen.

Mit einer neuen Chiptechnologie will Infineon Bausteine für mobile Geräte wie Handys um ein Vielfaches leistungsfähiger machen.

Den Forschern von Infineon ist es nach eigenen Angaben gelungen, einen Chip mit über 3.000 Transistoren in der Multi-Gate-Technologie herzustellen.

Weniger Ruheströme

Bei den Chips mit der neuen 3-D-Architektur sollen bei gleicher Funktion und Geschwindigkeit und aktueller Fertigungstechnik um den Faktor zehn weniger Ruheströme laufen.

Die Technologie soll bei weiter schrumpfenden Fertigungsteilen [unter 32 Nanometer Strukturbreite] noch in diesem Jahrzehnt eingesetzt werden.

Auch der weltgrößte Chiphersteller Intel forscht seit Jahren an ähnlichen dreidimensionalen Chipstrukturen mit mehreren Gates.

3-D als "Schlüssel zum Erfolg"

Selbst in ausgeschaltetem Zustand fließen in den kleinen Chips Leck- und Ruheströme. Durch die konstante Verkleinerung der Komponenten bis in den Nanobereich werden diese Leckströme zu einem immer größeren Problem und treiben auch den Strombedarf der Geräte in die Höhe.

Die dritte Dimension ist Infineon zufolge der "Schlüssel zum Erfolg": Der steuernde Kontakt des Transistors bekommt dadurch eine um den Faktor drei größere Angriffsfläche, um den Transistor effektiv auszuschalten.

Transistoren sind die Bausteine eines Mikroprozessors. Sie senden durch An- und Ausschalten elektrische Signale. Dabei werden Elektronen durch ein Transistor-Tor [Gate] geschickt. Bei der neuen Entwicklung besitzt der Chips statt eines mehrere Gates, die zudem nicht plan, sondern dreidimensional aufgebaut sind.

(dpa)