Schnellster DDR3-SRAM-Speicher
Der koreanische Halbleiterhersteller Samsung kündigte gestern den bisher schnellsten SRAM-Speicher an. Gefertigt wird er in einem 0,09-Mikron-Prozess und basiert auf der Double-Data-Rate-3-Technologie.
Nach eigenen Angaben verwendet Samsung bei der Fertigung des 32- und des 72-Mbit-DDR3-SRAMs konventionelle Methoden. Als zentrale Fertigungstechnik kommt die 248-nm-Krypton-Fluorid-Lithografie [KrF] zum Einsatz.
Der neue DDR3-SRAM-Speicher erreicht einen theoretischen Datendurchsatz von 1,5 Gbit/s.
Um eine niedrige Leistungsaufnahme zu gewährleisten, arbeitet der Speicher mit einer Spannung von 1,2 V.
Samsung-SpeicherEvaluierung
Erste Samples der 32-Mbit-DDR3-SRAM-Chips werden bereits zur Evaluierung ausgeliefert.
Die 72-Mbit-Speicher-ICs sollen im zweiten Halbjahr 2003 in die Massenfertigung gehen. Als Absatzmarkt visiert Samsung den High-End-Server- und Workstation-Markt an.